FDN335N MOSFET SSOT-3 N-CH 20V
♠ Descrierea produsului
| Atributul produsului | Valor de atribut |
| Producator: | onsemi |
| Categorie de produs: | MOSFET |
| RoHS: | Detalii |
| Tehnologie: | Si |
| Stilul de montaj: | SMD/SMT |
| Paquete / Cubierta: | SSOT-3 |
| Polaritatea tranzistorului: | Canal N |
| Numărul canalelor: | 1 canal |
| Vds - Tensión disruptiva între drenaje și surse: | 20 V |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 1,7 A |
| Rds On - Rezistență între drenaje și surse: | 55 mOhmi |
| Vgs - Tensiune între puerta și sursă: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - Tensiune umbral intre portiera si sursa: | 400 mV |
| Qg - Carga de puerta: | 5 nC |
| Temperatura de lucru minima: | - 55 C |
| Temperatura maximă de lucru: | + 150 C |
| Dp - Dissipación de putere : | 500 mW |
| Canalul Modo: | Sporire |
| Nume comercial: | PowerTrench |
| Empaquetado: | Tambur |
| Empaquetado: | Bandă tăiată |
| Empaquetado: | MouseReel |
| Marca: | onsemi / Fairchild |
| Configurare: | Singur |
| Timp de cădere: | 8,5 ns |
| Transconductancia hacia delante - Min.: | 7 S |
| Altura: | 1,12 mm |
| Longitudine: | 2,9 mm |
| Produs: | Semnal mic MOSFET |
| Tip produs: | MOSFET |
| Timpul de subida: | 8,5 ns |
| Seria: | FDN335N |
| Cantitatea de empaque de fabrică: | 3000 |
| Subcategoria: | MOSFET-uri |
| Tip de tranzistor: | 1 canal N |
| Tip: | MOSFET |
| Timp de retard de apagado tipic: | 11 ns |
| Timpul tipic de demora de incendiu: | 5 ns |
| Ancho: | 1,4 mm |
| Alias de las piese n.º: | FDN335N_NL |
| Peso de la unitate: | 0,001058 oz |
♠ MOSFET PowerTrenchTM specificat pentru N-Channel 2,5 V
Acest MOSFET N-Channel 2,5V specificat este produs folosind procesul PowerTrench avansat de la ON Semiconductor, care a fost special adaptat pentru a minimiza rezistența la starea de pornire și, totuși, pentru a menține încărcarea scăzută a porții pentru performanțe superioare de comutare.
• 1,7 A, 20 V. RDS(ON) = 0,07 Ω @ VGS = 4,5 V RDS(ON) = 0,100 Ω @ VGS = 2,5 V.
• Încărcare mică de poartă (3,5 nC tipic).
• Tehnologie trench de înaltă performanță pentru RDS extrem de scăzut(ON).
• Putere mare și capacitate de manipulare a curentului.
• Convertor DC/DC
• Comutator de sarcină
