IXFA22N65X2 MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2

Scurta descriere:

Producători: IXYS
Categoria de produs: Tranzistoare – FET-uri, MOSFET-uri – Single
Fișa cu date:IXFA22N65X2
Descriere: MOSFET N-CH 650V 22A TO-263
Stare RoHS: Conform RoHS

Trimiteți-ne un e-mail

Detaliile produsului

Etichete de produs

♠ Descrierea produsului

Atributul produsului	Valoarea atributului
Producător:	IXYS
Categorie produs:	MOSFET
Tehnologie:	Si
Stil de montare:	SMD/SMT
Pachet / Carcasa:	TO-263-3
Polaritatea tranzistorului:	Canal N
Număr de canale:	1 canal
Vds - Tensiune de întrerupere a sursei de scurgere:	650 V
Id - Curent de scurgere continuă:	22 A
Rds On - Rezistența drenaj-sursă:	160 mOhmi
Vgs - Tensiune poarta-sursa:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Tensiune prag poarta-sursa:	2,7 V
Qg - Taxă de poartă:	38 nC
Temperatura minima de functionare:	- 55 C
Temperatura maxima de functionare:	+ 150 C
Pd - disiparea puterii:	360 W
Mod canal:	Sporire
Nume comercial:	HiPerFET
Ambalare:	Tub
Marca:	IXYS
Configurare:	Singur
Toamna:	10 ns
Transconductanță directă - Min:	8 S
Tip produs:	MOSFET
Timpul de creștere:	35 ns
Serie:	650V Ultra Jonction X2
Cantitate pachet din fabrică:	50
Subcategorie:	MOSFET-uri
Timp de întârziere tipic la oprire:	33 ns
Timp de întârziere tipic la pornire:	38 ns
Greutate unitară:	0,139332 oz