SIA427ADJ-T1-GE3 MOSFET -8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70
♠ Descrierea produsului
| Atributul produsului | Valoarea atributului |
| Producător: | Vishay |
| Categorie produs: | MOSFET |
| RoHS: | Detalii |
| Tehnologie: | Si |
| Stil de montare: | SMD/SMT |
| Pachet/Cutie: | SC-70-6 |
| Polaritatea tranzistorului: | Canalul P |
| Număr de canale: | 1 canal |
| Vds - Tensiune de întrerupere a sursei de scurgere: | 8 V |
| Id - Curent de scurgere continuă: | 12 A |
| Rds On - Rezistența drenaj-sursă: | 95 mOhmi |
| Vgs - Tensiune poarta-sursa: | - 5 V, + 5 V |
| Vgs th - Tensiune prag poarta-sursa: | 800 mV |
| Qg - Taxă de poartă: | 50 nC |
| Temperatura minima de functionare: | - 55 C |
| Temperatura maxima de functionare: | + 150 C |
| Pd - disiparea puterii: | 19 W |
| Mod canal: | Sporire |
| Nume comercial: | TrenchFET |
| Ambalare: | Tambur |
| Ambalare: | Bandă tăiată |
| Ambalare: | MouseReel |
| Marca: | Vishay Semiconductors |
| Configurare: | Singur |
| Tip produs: | MOSFET |
| Serie: | SIA |
| Cantitate pachet din fabrică: | 3000 |
| Subcategorie: | MOSFET-uri |
| Greutate unitară: | 82,330 mg |
• MOSFET de putere TrenchFET®
• Pachetul PowerPAK® SC-70 îmbunătățit termic
– Zona de amprentă mică
– Rezistență scăzută
• 100 % Rg testat
• Comutator de sarcină, pentru linie de alimentare de 1,2 V pentru dispozitive portabile și portabile
