NTMFS4C029NT1G MOSFET TRENCH 6 30V NCH
♠ Descrierea produsului
| Atributul produsului | Valoarea atributului |
| Producător: | onsemi |
| Categorie produs: | MOSFET |
| RoHS: | Detalii |
| Tehnologie: | Si |
| Stil de montare: | SMD/SMT |
| Pachet / Carcasa: | SO-8FL-4 |
| Polaritatea tranzistorului: | Canal N |
| Număr de canale: | 1 canal |
| Vds - Tensiune de întrerupere a sursei de scurgere: | 30 V |
| Id - Curent de scurgere continuă: | 46 A |
| Rds On - Rezistența drenaj-sursă: | 4,9 mOhmi |
| Vgs - Tensiune poarta-sursa: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensiune prag poarta-sursa: | 2,2 V |
| Qg - Taxă de poartă: | 18,6 nC |
| Temperatura minima de functionare: | - 55 C |
| Temperatura maxima de functionare: | + 150 C |
| Pd - disiparea puterii: | 23,6 W |
| Mod canal: | Sporire |
| Ambalare: | Tambur |
| Ambalare: | Bandă tăiată |
| Ambalare: | MouseReel |
| Marca: | onsemi |
| Configurare: | Singur |
| Toamna: | 7 ns |
| Transconductanță directă - Min: | 43 S |
| Tip produs: | MOSFET |
| Timpul de creștere: | 34 ns |
| Serie: | NTMFS4C029N |
| Cantitate pachet din fabrică: | 1500 |
| Subcategorie: | MOSFET-uri |
| Tip tranzistor: | 1 canal N |
| Timp de întârziere tipic la oprire: | 14 ns |
| Timp de întârziere tipic la pornire: | 9 ns |
| Greutate unitară: | 0,026455 oz |
• RDS scăzut (activat) pentru a minimiza pierderile de conducție
• Capacitate scăzută pentru a minimiza pierderile de șofer
• Încărcare de poartă optimizată pentru a minimiza pierderile de comutare
• Aceste dispozitive nu sunt Pb-Free, fără halogen/BFR și sunt conforme cu RoHS
• Livrarea puterii procesorului
• Convertoare DC-DC
