FDN360P MOSFET SSOT-3 P-CH -30V
♠ Descrierea produsului
| Atributul produsului | Valor de atribut |
| Producator: | onsemi |
| Categorie de produs: | MOSFET |
| RoHS: | Detalii |
| Tehnologie: | Si |
| Stilul de montaj: | SMD/SMT |
| Paquete / Cubierta: | SSOT-3 |
| Polaritatea tranzistorului: | Canalul P |
| Numărul canalelor: | 1 canal |
| Vds - Tensión disruptiva între drenaje și surse: | 30 V |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 2 A |
| Rds On - Rezistență între drenaje și surse: | 63 mOhmi |
| Vgs - Tensiune între puerta și sursă: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensiune umbral intre portiera si sursa: | 3 V |
| Qg - Carga de puerta: | 9 nC |
| Temperatura de lucru minima: | - 55 C |
| Temperatura maximă de lucru: | + 150 C |
| Dp - Dissipación de putere : | 500 mW |
| Canalul Modo: | Sporire |
| Nume comercial: | PowerTrench |
| Empaquetado: | Tambur |
| Empaquetado: | Bandă tăiată |
| Empaquetado: | MouseReel |
| Marca: | onsemi / Fairchild |
| Configurare: | Singur |
| Timp de cădere: | 13 ns |
| Transconductancia hacia delante - Min.: | 5 S |
| Altura: | 1,12 mm |
| Longitudine: | 2,9 mm |
| Produs: | Semnal mic MOSFET |
| Tip produs: | MOSFET |
| Timpul de subida: | 13 ns |
| Seria: | FDN360P |
| Cantitatea de empaque de fabrică: | 3000 |
| Subcategoria: | MOSFET-uri |
| Tip de tranzistor: | 1 canal P |
| Tip: | MOSFET |
| Timp de retard de apagado tipic: | 11 ns |
| Timpul tipic de demora de incendiu: | 6 ns |
| Ancho: | 1,4 mm |
| Alias de las piese n.º: | FDN360P_NL |
| Peso de la unitate: | 0,001058 oz |
♠ Single P-Channel, PowerTrenchÒ MOSFET
Acest MOSFET de nivel logic P-Channel este produs folosind un proces avansat Power Trench ON Semiconductor, care a fost special adaptat pentru a minimiza rezistența la starea de pornire și, totuși, pentru a menține încărcarea scăzută a porții pentru performanțe superioare de comutare.
Aceste dispozitive sunt potrivite pentru aplicații de joasă tensiune și alimentate cu baterii, unde sunt necesare pierderi reduse de putere în linie și comutare rapidă.
· –2 A, –30 V. RDS(ON) = 80 mW @ VGS = –10 V RDS(ON) = 125 mW @ VGS = –4,5 V
· Încărcare scăzută (6,2 nC tipic) · Tehnologie de înaltă performanță pentru un RDS (ON) extrem de scăzut.
· Versiunea de mare putere a pachetului SOT-23 standard industrial.Pin-out identic cu SOT-23 cu capacitate de manipulare a puterii cu 30% mai mare.
· Aceste dispozitive nu conțin Pb și sunt conforme cu RoHS
