VNS1NV04DPTR-E Drivere de poartă OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A
♠ Descrierea produsului
Atributul produsului | Valoarea atributului |
Producător: | STMicroelectronics |
Categorie produs: | Drivere de poartă |
Produs: | Drivere de poartă MOSFET |
Tip: | Low-side |
Stil de montare: | SMD/SMT |
Pachet / Carcasa: | SOIC-8 |
Numărul de șoferi: | 2 Șofer |
Număr de ieșiri: | 2 Ieșire |
Curent de ieșire: | 1,7 A |
Tensiune de alimentare - Max: | 24 V |
Timpul de creștere: | 500 ns |
Toamna: | 600 ns |
Temperatura minima de functionare: | -40 C |
Temperatura maxima de functionare: | + 150 C |
Serie: | VNS1NV04DP-E |
Calificare: | AEC-Q100 |
Ambalare: | Tambur |
Ambalare: | Bandă tăiată |
Ambalare: | MouseReel |
Marca: | STMicroelectronics |
Sensibil la umiditate: | da |
Curent de alimentare de operare: | 150 uA |
Tip produs: | Drivere de poartă |
Cantitate pachet din fabrică: | 2500 |
Subcategorie: | PMIC - CI de gestionare a puterii |
Tehnologie: | Si |
Greutate unitară: | 0,005291 oz |
♠ MOSFET de putere OMNIFET II complet autoprotejat
VNS1NV04DP-E este un dispozitiv format din două cipuri monolitice OMNIFET II găzduite într-un pachet standard SO-8.OMNIFET II sunt proiectate în tehnologia STMicroelectronics VIPower™ M0-3: sunt destinate înlocuirii MOSFET-urilor standard de putere de la aplicații DC până la 50KHz.Oprirea termică încorporată, limitarea curentului liniar și clema de supratensiune protejează cipul în medii dure.
Feedback-ul de eroare poate fi detectat prin monitorizarea tensiunii la pinul de intrare.
• Limitarea curentului liniar
• Oprire termică
• Protecție la scurtcircuit
• Clemă integrată
• Curent scăzut preluat de la pinul de intrare
• Feedback de diagnostic prin pinul de intrare
• Protecție ESD
• Acces direct la poarta mosfetului de putere (conducere analogică)
• Compatibil cu mosfet de putere standard
• În conformitate cu directiva europeană 2002/95/EC