LM74800QDRRRQ1 3-V până la 65-V, controler de diodă ideal pentru automobile care conduce spate în spate NFET-uri 12-WSON -40 până la 125
♠ Descrierea produsului
| Atributul produsului | Valoarea atributului |
| Producător: | Texas Instruments |
| Categorie produs: | Specializat în managementul energiei - PMIC |
| Serie: | LM7480-Q1 |
| Tip: | Automobile |
| Stil de montare: | SMD/SMT |
| Pachet / Carcasa: | WSON-12 |
| Curent de ieșire: | 2 A, 4 A |
| Interval de tensiune de intrare: | 3 V până la 65 V |
| Gama tensiunii de ieșire: | 12,5 V până la 14,5 V |
| Temperatura minima de functionare: | -40 C |
| Temperatura maxima de functionare: | + 125 C |
| Ambalare: | Tambur |
| Ambalare: | Bandă tăiată |
| Ambalare: | MouseReel |
| Marca: | Texas Instruments |
| Tensiune de intrare, max: | 65 V |
| Tensiune de intrare, min: | 3 V |
| Tensiune maximă de ieșire: | 14,5 V |
| Sensibil la umiditate: | da |
| Tensiune de alimentare de operare: | 6 V până la 37 V |
| Tip produs: | Specializat în managementul energiei - PMIC |
| Cantitate pachet din fabrică: | 3000 |
| Subcategorie: | PMIC - CI de gestionare a puterii |
♠ LM7480-Q1 Controler de diodă ideal cu protecție la descărcarea sarcinii
Controlerul de diodă ideal LM7480x-Q1 comandă și controlează MOSFET-uri N-Channel externe spate în spate pentru a emula un redresor de diodă ideal cu control ON/OFF al căii de alimentare și protecție la supratensiune.Sursa largă de alimentare de la 3 V până la 65 V permite protecția și controlul ECU-urilor alimentate cu baterii auto de 12 V și 24 V.Dispozitivul poate rezista și poate proteja sarcinile de tensiuni negative de alimentare până la –65 V. Un controler integrat de diodă ideală (DGATE) comandă primul MOSFET care înlocuiește o diodă Schottky pentru protecția inversă de intrare și reținerea tensiunii de ieșire.Cu un al doilea MOSFET pe calea de alimentare, dispozitivul permite deconectarea sarcinii (control ON/OFF) și protecția la supratensiune folosind controlul HGATE.Dispozitivul dispune de o funcție reglabilă de protecție împotriva supratensiunii.LM7480-Q1 are două variante, LM74800-Q1 și LM74801-Q1.LM74800-Q1 folosește blocarea curentului invers folosind reglarea liniară și schema de comparație față de LM74801-Q1 care acceptă schema bazată pe comparator.Cu configurația Common Drain a MOSFET-urilor de putere, punctul de mijloc poate fi utilizat pentru proiecte OR-ing folosind o altă diodă ideală.LM7480x-Q1 are o tensiune nominală maximă de 65 V. Sarcinile pot fi protejate de tranzitorii de supratensiune extinsă, cum ar fi descărcarea de sarcină nesuprimată de 200 V în sistemele de baterii de 24 V, prin configurarea dispozitivului cu MOSFET-uri externe în topologia Common Source.
• AEC-Q100 calificat pentru aplicații auto
– Temperatura dispozitivului gradul 1:
Interval de temperatură ambiantă de funcționare de la –40°C la +125°C
– Clasificare dispozitiv HBM ESD nivelul 2
– Clasificare dispozitiv CDM ESD nivel C4B
• Interval de intrare 3-V până la 65-V
• Protecție de intrare inversă până la –65 V
• Driverează MOSFET-uri N-Channel back-to-back externe în configurații comune de scurgere și surse comune
• Funcționare ideală a diodei cu reglare directă a căderii de tensiune de 10,5 mV A la C (LM74800-Q1)
• Prag scăzut de detecție inversă (–4,5 mV) cu răspuns rapid (0,5 µs)
• Curent de pornire peak gate (DGATE) de 20 mA
• 2,6-A vârf de curent de oprire DGATE
• Protectie reglabila la supratensiune
• Curent de oprire scăzut de 2,87 µA (EN/UVLO=Scăzut)
• Îndeplinește cerințele auto ISO7637 tranzitorii cu o diodă TVS adecvată
• Disponibil în pachetul WSON cu 12 pini care economisește spațiu
• Protecția bateriei auto
– Controler de domeniu ADAS
- ECU al camerei
- Sef de echipa
– HUB-uri USB
• ORing activ pentru putere redundantă
