IPD50N04S4-08 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
♠ Descrierea produsului
Atributul produsului | Valoare atribut |
Producător: | Infineon |
Categorie de produse: | MOSFET |
Tehnologie: | Si |
Stil de montare: | SMD/SMT |
Pachet / Cutie: | TO-252-3 |
Polaritatea tranzistorului: | Canal N |
Număr de canale: | 1 canal |
Vds - Tensiune de străpungere drenă-sursă: | 40 V |
Id - Curent de drenaj continuu: | 50 A |
Rds Activat - Rezistență Dren-Sursă: | 7,2 mOhmi |
Vgs - Tensiune Gate-Source: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Tensiune de prag Gate-Source: | 2 V |
Qg - Sarcina porții: | 22,4 nC |
Temperatura minimă de funcționare: | - 55°C |
Temperatura maximă de funcționare: | + 175°C |
Pd - Disiparea puterii: | 46 V |
Mod canal: | Îmbunătățire |
Calificare: | AEC-Q101 |
Denumire comercială: | OptiMOS |
Ambalaj: | Tambur |
Ambalaj: | Tăiați banda |
Ambalaj: | MouseReel |
Marca: | Infineon Technologies |
Configurație: | Singur |
Toamna: | 6 ns |
Înălţime: | 2,3 mm |
Lungime: | 6,5 mm |
Tip produs: | MOSFET |
Timp de creștere: | 7 ns |
Serie: | OptiMOS-T2 |
Cantitate pachet din fabrică: | 2500 |
Subcategorie: | MOSFET-uri |
Tip tranzistor: | 1 canal N |
Timp tipic de întârziere la oprire: | 5 ns |
Timp tipic de întârziere la pornire: | 5 ns |
Lăţime: | 6,22 mm |
Aliasuri pentru numărul piesei: | IPD5N4S48XT SP000711450 IPD50N04S408ATMA1 |
Greutate unitară: | 0,011640 uncii |
• Canal N – Mod de amplificare
• Calificat AEC
• MSL1 până la 260°C vârf de reflow
• Temperatură de funcționare 175°C
• Produs ecologic (conform cu RoHS)
• Testat 100% pentru avalanșe